5G芯片的成本为何如此之高？

但是这一点却始终是产业技术发展的难点。早在1986年，美国国防部就将MMIC列为军事微电子计划之一，并在DARPA的领导下，采用以联邦政府巨额支助的方针，动员全国高校和工业部门各大公司的力量，分工合作，对MMIC领域开展广泛而深入的研究。数据显示，当时美联邦政府投入资金共计5.3亿元，加上美工业部门投入，实际已超过10亿美元。但即便如此，收效甚微。

后进入90年代，随着冷战的结束，MMIC在民用方面应用发展以每年15~20%的速度增长，但是至今产业依然没有达成高度一致，仅在取材方面，毫米波芯片就有砷化镓(GaAs)、InP(磷化铟)、氮化镓(GaN)和硅基(CMOS、SiGe)等各种材料，并且各家射频领域的大厂仍在探索更加合适的材料和工艺。

目前从整个市场来看，GaAs工艺已成为微波毫米波集成电路的主流工艺，而因为更高的电子迁移率、载流子饱和漂移速度和高击穿场强等性能，GaN被一致认为是未来射频器件材料的首选。

但是正如集成电路发展伊始，所有器件的集成都需要采用统一的工艺一般，考虑到集成度和市场化发展，以及当下硅集成电路大兴的背景，虽然毫米波频段性能不足，硅基工艺仍然是产业内最有可能被商用的技术。

不得不提，基于CMOS工艺研发而出的车载毫米波芯片为MMIC产业带来了一股春风，这让有志于在5G通信领域再基于硅片集成毫米波器件的厂商也多了底气。

硅工艺在成本和集成度方面的巨大优势是极具诱惑力的，且其在数字电路上的应用深远而广泛，日本、美国、加拿大等国都在不断进行这方面的研究，我们国家的东南大学毫米波国家重点实验室就坚持硅基毫米波芯片，而它的研制成功势必将会大幅降低5G芯片的成本，也将极大程度地推进5G产业的发展。

最后

至今为止，毫米波芯片最主要的应用领域还是军用高端场景，因此可以说，5G商用在成本、尺寸等方面带来的“诸多要求”让其本身的推进和发展也充满了压力。

目前，在5G终端射频前端集成领域，尚无一家芯片厂商有好的解决方案，因此留给初创企业的机会尚存，但是5G商业化发展已经将近，且陆续传出毫米波芯片成本大降的消息(如紫金山实验室就称其研发的毫米波芯片已经可以降至二十几元)，这都预示着产业形势变化一触即发。

（编辑：辽源站长网）

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