三星正在开发第七代V-NAND闪存 至少达到160层

4月20日消息 根据外媒的报道，三星电子正在开发其第7代V-NAND闪存，第一款产品将至少达到160层。

外媒表示，三星的160层的V-NAND产品可能会在长江储存128层产品大量上市时推出，时间大约是2020年底。

IT之家曾报道，4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号： X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储表示，X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量，拥有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量。

（编辑：辽源站长网）

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