国内首家DRAM供应商诞生：10nm级工艺 月产能将占全球3%

长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元，将生产国产第一代10nm工艺级8Gb DDR4内存芯片，并获得了工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

该晶圆厂每月产量为20000晶圆，到2020年第二季度这一速度会提升到40000晶圆/月，大概能占到全球内存产能的3%。

目前长鑫存储国内唯一的竞争对手是清华紫光，它计划于2021年在重庆建成研发中心和DRAM晶圆厂，距离量产还要3-5年时间。

就在前几天，长鑫存储技术有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日联合宣布，就原内存制造商奇梦达开发的DRAM内存专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议，长鑫收获大量原奇梦达内存专利。

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（编辑：辽源站长网）

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