台积电：5nm明年量产 2nm已进入先导规划

在近日的台积电33周年庆典上，董事长、联席CEO刘德音谈到了台积电的先进工艺规划，最先进的2nm工艺也进入了先导规划中，明年则会量产5nm工艺。

刘德音强调，台积电先进制程7nm在台中晶圆十五厂运作近两年，从试产到大量生产写下全球纪录，也缔造产出超过一百万片12吋晶圆的全球创举，并首次以极紫外光（EUV）应用的7nm强化版制程技术，今年六月开始大量生产，有很好良率表现。台积电最新的5nm制程已准备就绪，过去一年多，在竹科晶圆十二厂和台南晶圆十八厂，投注大量时间和心力，明年可望接续7nm脚步，可望创造又一个半导体技术里程碑。

根据台积电之前的规划，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track ( 金属单元高度 ) 和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch ( 晶体管栅极间距 ) 缩小到30nm，Metal Pitch ( 金属间距 ) 缩小到20nm，相比于3nm都小了 23％。

预计2nm工艺将在2024年完成，正式进入量产阶段，不过具体情况现在还不得而知。

（编辑：辽源站长网）

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